1550nm DFB 10GHz EML レーザーダイオード

Box Optronics が工場を所有し、1550nm DFB 10GHz EML レーザーダイオードをサポートしています。
オプションの波長: 1530nm、1550nm またはその他
カスタマイズされた出力電力: 5mW またはその他
1550nm DFB 10GHz EML レーザーダイオードはどこで使用できますか?
光干渉断層撮影法 (OCT);
光ファイバージャイロスコープ (FOG);
原子間力顕微鏡(AFM)など

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製品説明

1.注文情報

BRLD	-XXX	-XX	-XX	-XX
レーザーの種類	波長(nm)	出力電力(mW)	ファイバーの種類	コネクタの種類
変調レーザー	1530: 1530nm 1550: 1550nm 他の	05:5 10:10	SM : シングルモード PM : 偏波保持	FA : FC/APC SA : SC/APC N0: ヌル

自社工場でカスタマイズをサポート。
熱い：1550nm DFB 10GHz EML レーザーダイオード

2.1550nm DFB 10GHz EMLレーザーダイオードの特長

変調帯域幅：10GHz以上。
業界標準のバタフライパッケージ。
高性能多重量子井戸(MQW)
TECと光アイソレータを内蔵。
分散フィードバック (DFB) チップ。

3.1550nm DFB 10GHz EML レーザーダイオードの応用

SONET/SDH 回線およびクライアントトランスポンダ。
DWDM/CWDM トランスポンダー。
ラインカード。

4.電気光学特性

.パラメータ	シンボル	状態	分。	典型的。	最大。	ユニット
ONレベル変調器電圧	VO	-	-0.7	-	0	V
閾値電流	ITH	CW、Vm=V0	-	15	30	ミリアンペア
動作電流	眼圧	-	40	-	100	ミリアンペア
分散ペナルティ	dP	※1	-	-	2.0	dB
順電圧	VF	CW、If=Iop	-	1.4	2.0	V
変調電圧	VPP	-	-	2	2.6	V
消光比	REXT	※2	10	-	-	dB
発振ピーク波長	Î»P	※2	1530	-	1565	nm
サイドモード抑制比	SMSR	CW	35	-	-	dB
立ち上がり時間	tR	20～80％※2	-	20	25	ps
フォールタイム	tF	20～80％※2	-	20	25	ps
電流を監視する	私は	CW、IF -IOP、Vm=Vo、VDR -5V	40	-	1100	μA
暗電流を監視する	ID	VDR ±5V	-	2	100	NA
モニター静電容量	CT	VDR ±5V	-	2	15	pF
TEC電流	アイテック	TL = 25 °C、TC = 70 °C	-	-	1.0	A
TEC電圧	VTEC	TL = 25 °C、TC = 70 °C	-	-	2.4	V
クーラーの消費電力	パソコン	CW、IF -IOP、Vm -VO、TC(OP) -20°C ～ 70°C	-	-	2.4	W
サーミスタ抵抗	RTH	TC(OP) ±25°C	9.5	-	10.5	kÎ©
サーミスタB定数	B	-	3270	3450	3630	K
トラッキングエラー	TE	CW、IF -IOP、Vm -VO、TC(OP) -20°C ～ -70°C	-0.5	-	0.5	dB
入力インピーダンス	ジン	-	-	50	-	Ω
高周波リターンロス	S11	f 5GHz 50Î© テストセット、Vm â VO、IF â IOP	8	-	-	dB
		f 10GHz 50Î© テストセット、Vm â VO、IF â IOP	5	-	-	dB
カットオフ周波数	S21	-3dB帯域幅50Î©テストセット、Vm - VO - 0.5Vpp、IF - IOP	10	-	-	GHz
相対強度ノイズ	リン	CW、出力5mW	-	-	-120	dB/Hz
分離	は	TC(OP) -20°C ～ 70°C	25	35	-	dB